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参数资料
| 型号： | M95080-VBN6T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock |
| 中文描述： | 64/32/16/8千位串行SPI总线的EEPROM高速时钟 |
| 文件页数： | 17/39页 |
| 文件大小： | 590K |
| 代理商： | M95080-VBN6T |
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M95640, M95320
Figure 13. Read from Memory Array (READ) Sequence
Note:
Depending on the memory size, as shown in Table 6, the most significant address bits are Don’t Care.
Read from Memory Array (READ)
As shown in Figure 13, to send this instruction to
the device, Chip Select (S) is first driven Low. The
bits of the instruction byte and address bytes are
then shifted in, on Serial Data Input (D). The ad-
dress is loaded into an internal address register,
and the byte of data at that address is shifted out,
on Serial Data Output (Q).
If Chip Select (S) continues to be driven Low, the
internal address register is automatically incre-
mented, and the byte of data at the new address is
shifted out.
When the highest address is reached, the address
counter rolls over to zero, allowing the Read cycle
to be continued indefinitely. The whole memory
can, therefore, be read with a single READ instruc-
tion.
The Read cycle is terminated by driving Chip Se-
lect (S) High. The rising edge of the Chip Select
(S) signal can occur at any time during the cycle.
The first byte addressed can be any byte within
any page.
The instruction is not accepted, and is not execut-
ed, if a Write cycle is currently in progress.
C
D
AI01793D
S
Q
15
2
1
3
4
5
6
7
8
9 10
20 21 22 23 24 25 26 27
14 13
3
2
1
0
28 29 30
7
6
5
4
3
1
7
0
High Impedance
Data Out 1
Instruction
16-Bit Address
0
MSB
MSB
2
31
Data Out 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M95080-RMN1T | 64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| M95080-WBPMN6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-WBPMN6T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-WDW6T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-WDW6TP | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2.5 V to 5.5V 8K RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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