- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录359119 > M95080BN (意法半导体) Octal Edge-Triggered D-Type Flip-Flops with 3-State Outputs 20-TSSOP -40 to 85 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M95080BN |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Octal Edge-Triggered D-Type Flip-Flops with 3-State Outputs 20-TSSOP -40 to 85 |
| 中文描述： | 64/32/16/8千位串行SPI总线的EEPROM高速时钟 |
| 文件页数： | 12/39页 |
| 文件大小： | 590K |
| 代理商： | M95080BN |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页当前第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页
M95640, M95320
12/39
INSTRUCTIONS
Each instruction starts with a single-byte code, as
summarized in Table 4.
If an invalid instruction is sent (one not contained
in Table 4), the device automatically deselects it-
self.
Table 4. Instruction Set
Figure 9. Write Enable (WREN) Sequence
Write Enable (WREN)
The Write Enable Latch (WEL) bit must be set pri-
or to each WRITE and WRSR instruction. The only
way to do this is to send a Write Enable instruction
to the device.
As shown in Figure 9, to send this instruction to the
device, Chip Select (S) is driven Low, and the bits
of the instruction byte are shifted in, on Serial Data
Input (D). The device then enters a wait state. It
waits for a the device to be deselected, by Chip
Select (S) being driven High.
Instruc
tion
Description
Instruction
Format
WREN
Write Enable
0000 0110
WRDI
Write Disable
0000 0100
RDSR
Read Status Register
0000 0101
WRSR
Write Status Register
0000 0001
READ
Read from Memory Array
0000 0011
WRITE
Write to Memory Array
0000 0010
C
D
AI02281E
S
Q
2
1
3
4
5
6
7
High Impedance
0
Instruction
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M95080-WDW3 | 16Kbit and 8Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock |
| M95080-WMN3 | 16Kbit and 8Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock |
| M95080-WBN1T | 64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock |
| M95080-WMN1T | RECTIFIER SBR DUAL 40A 150V 300A-ifsm 800mV-vf 0.5mA-ir TO-220AB 50/TUBE |
| M95080-WDL1T | 64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M95080-BN3 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-BN6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-BPMN6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M95080-DFDW6TP | 功能描述:IC EEPROM 8KBIT 10MHZ 8TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K（1K x 8） 速度:5MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 |
| M95080-DFMC6TG | 功能描述:IC EEPROM 8KB I2C SPI 8UFDFPN 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K（1K x 8） 速度:5MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UFDFPN（2x3） 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。