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参数资料
| 型号： | MA2YJ50 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | 2.60 X 1.60 MM, 0.80 MM HEIGHT, MINI2-F1, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 382K |
| 代理商： | MA2YJ50 |
Schottky Barrier Diodes (SBD)
Publication date: November 2008
SKH00238AED
1
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MA2YJ50
Silicon epitaxial planar type
For rectication
Features
Forward current (Average) IF(AV) = 3.0 A rectication is possible.
Low forward voltage VF : 0.55 V (max.)
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
40
V
Forward current (Average) *1
IF(AV)
3.0
A
Non-repetitive peak forward surge current
IFSM
50 *2
A
15 *3
A
Junction temperature
Tj
150
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°
C
Note) *1: Lead temperature: Tl = 60°C, DC wave on
*2: Rectangle wave 1 cycle (Pulse width = 50 ms, non-repetitive peak current)
*3: 50 Hz sine wave 1 cycle (Non-repetitive peak current)
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
VF1
IF = 1.0 A
0.35
0.44
V
VF2
IF = 3.0 A
0.47
0.55
Reverse current
IR
VR = 40 V
40
200
m
A
Terminal capacitance
Ct
VR = 10 V, f = 1 MHz
70
pF
Reverse recovery time *
trr
IF = IR = 100 mA, Irr = 10 mA,
RL = 100 W
25
ns
Thermal resistance (j-a)
Rth(j-a)
Mounted on an alumina PC board
110
°
C/W
Mounted on a glass epoxy PC board
160
Thermal resistance (j-l)
Rth(j-l)
60
°
C/W
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage
of current from the operating equipment.
3. *: trr measurement circuit
Bias Application Unit (N-50BU)
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
Rs = 50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
Ri = 50
tp = 2 s
tr = 0.35 ns
δ =
0.05
IF = IR = 100 mA
RL = 100
10%
Input Pulse
Output Pulse
Irr = 10 mA
tr
tp
trr
VR
IF
t
A
Package
Code
Mini2-F1
Pin Name
1: Anode
2: Cathode
Marking Symbol: 3D
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA3SE020G | SILICON, HF BAND, MIXER DIODE |
| MA40053-54 | SILICON, MIXER DIODE |
| MA4B300 | 2 GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
| MA4SD01 | 0.03 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MA691 | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MA2Z001 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
| MA2Z00100L | 功能描述:DIODE SWITCH 200V 100MA SMINI2P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MA2Z0010GL | 功能描述:DIODE SWITCH 200V 100MA SMINI2P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MA2Z0300AL | 功能描述:DIODE VARISTOR 6V 150MA SMINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MA2Z077 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
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