型号: | MA4E2200D1-287T |
元件分类: | 射频混频器 |
英文描述: | SILICON, ZERO BARRIER SCHOTTKY, S BAND, MIXER DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 287, 3 PIN |
文件页数: | 7/7页 |
文件大小: | 98K |
代理商: | MA4E2200D1-287T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MBR16100FCTP | 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MLL759P | 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MLL758AP | 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MBR8100P | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
MASMLJ150CE3 | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MA4E2200D-287T | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
MA4E2200E-1068T | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
MA4E2200E1-1068T | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
MA4E2501 | 制造商:MA-COM 制造商全称:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:SURMOUNTTM Low Barrier 0201 Footprint Silicon Schottky Diodes |
MA4E2501-1290 | 制造商:MA-COM 制造商全称:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:SURMOUNTTM Low Barrier 0201 Footprint Silicon Schottky Diodes |