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参数资料
| 型号： | MA9264 |
| 厂商： | Dynex Semiconductor Ltd. |
| 英文描述： | Radiation Hard 8192x8 Bit Static RAM |
| 中文描述： | 辐射硬8192x8位静态RAM |
| 文件页数： | 1/15页 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | MA9264 |
MA9264
1/15
The MA9264 64k Static RAM is configured as 8192x8 bits and
manufactured using CMOS-SOS high performance, radiation hard,
1.5
μ
m technology.
The design uses a 6 transistor cell and has full static operation with
no clock or timing strobe required. Address input buffers are deselected
when chip select is in the HIGH state.
See Application Note “Overview of the Dynex Semiconductor
Radiation Hard 1.5
μ
m CMOS/SOS SRAM Range”.
FEATURES
I
1.5
μ
m CMOS-SOS Technology
I
Latch-up Free
I
Fast Access Time 70ns Typical
I
Total Dose 10
6
Rad(Si)
I
Transient Upset >10
11
Rad(Si)/sec
I
SEU 4.3 x 10
-11
Errors/bitday
I
Single 5V Supply
I
Three State Output
I
Low Standby Current 100
μ
A Typical
I
-55
°
C to +125
°
C Operation
I
All Inputs and Outputs Fully TTL or CMOS
Compatible
I
Fully Static Operation
Operation Mode
CS
CE
OE
WE
I/O
Power
Read
L
H
L
H
D OUT
Write
L
H
X
L
D IN
ISB1
Output Disable
L
H
H
H
High Z
Standby
H
X
X
X
High Z
ISB2
X
L
X
X
X
Figure 1: Truth Table
Figure 2: Block Diagram
A12
A9
A8
A4
A3
A6
A5
A7
A
D
D
R
E
S
S
B
U
F
F
E
R
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
A10 A0 A1 A2 A11
CS
CE
WE
OE
Radiation Hard 8192x8 Bit Static RAM
Replaces June 1999 version, DS3692-6.0
DS3692-7.0 January 2000
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