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参数资料
| 型号： | MAX15013AASA+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 10/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET 8-SOIC |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 175V |
| 电源电压： | 8 V ~ 12.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
175V/2A, High-Speed,
Half-Bridge MOSFET Drivers
Minimum Input Pulse Width
The MAX15012/MAX15013 use a single-shot level-shifter
architecture to achieve low propagation delay. Typical
level shifter architecture causes a minimum (high or low)
pulse width (t Dmin ) at the output that may be higher than
the logic-input pulse width. For the MAX15012/
MAX15013 devices, the DH minimum high pulse-width
(t Dmin-DH-H ) is lower than the DL minimum low pulse
width (t Dmin-DL-L ) to avoid any shoot-through in the
absence of external BBM delay during the narrow pulse
At high duty cycle (close to 100%), the DH minimum low
pulse width (t Dmin-DH-L ) must be higher than the DL min-
imum low pulse width (t Dmin-DL-L ) to avoid the overlap
and shoot-through. See Figure 3. In case of the
MAX15012/MAX15013, there is a possibility of about
40ns overlap if an external BBM delay is not provided. It
is recommended to add external delay in the INH path
so that the minimum low pulse width seen at INH is
always longer than t PW-min . See the Electrical
Characteristics table for the typical values of t PW-min .
at low duty cycle. See Figure 2.
V DD
V IN
PW-MIN
INH
INL
DH
HS
DL
N
N
V OUT
MAX15012B/
MAX15012D/
MAX15013B/
MAX15013D
PW-MIN
t DMIN-DH-H
DH
IN-BUILT
DEAD TIME
DL
t DMIN-DL-L
Figure 2. Minimum Pulse-Width Behavior for Narrow Duty-Cycle Input (On-Time < t PW-min )
10
______________________________________________________________________________________
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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