- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录22320 > MAX15017BATX+T (Maxim Integrated)IC REG DL BCK/LINEAR 36TQFNEP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MAX15017BATX+T |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 22/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG DL BCK/LINEAR 36TQFNEP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 2,500 |
| 拓扑： | 降压（降压）同步（1），线性（LDO）（1） |
| 功能： | 车载 |
| 输出数： | 2 |
| 频率 - 开关： | 500kHz |
| 电压/电流 - 输出 1： | 1.26 V ~ 32 V，1A |
| 电压/电流 - 输出 2： | 5 V ~ 40 V，50mA |
| 带 LED 驱动器： | 无 |
| 带监控器： | 无 |
| 带序列发生器： | 无 |
| 电源电压： | 7.5 V ~ 40 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 36-WFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 36-TQFN 裸露焊盘（6x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1A, 4.5V to 40V Input Buck Converters with
50mA Auxiliary LDO Regulators
C IN_LDO
C IN_SW
C DRAIN
R6
R3
V IN
4.5V TO 40V
D1
C8
C6
R5
C7
IN_LDO
IN_SW
DRAIN
COMP
BST
FB
C BST
L
R4
V IN
5V TO 40V
C F
EN_SW
EN_SYS
C+
C-
SS
MAX15015
MAX15016
LX
RESET
CT
D2
10k ?
V OUT1 AT 1A
C OUT
PGND
SGND
SYNC
LDO_OUT
V OUT2 AT 50mA
REG
C SS
C REG
1 ?
0.47 μ F
DVREG
PGND
SET_LDO
SGND
C CT
C LDO_OUT
Figure 6. MAX15015/MAX15016 Typical Application Circuit (4.5V to 40V Input Operation)
P SW = IN OUT R F SW
power dissipated due to the RMS current through the
internal power MOSFET (P MOSFET ). The total power
dissipated in the package must be limited such that the
junction temperature does not exceed its absolute max-
imum rating of +150°C at maximum ambient tempera-
ture. Calculate the power lost in the MAX15014 –
MAX15017 using the following equations:
The power loss through the switch:
P MOSFET = ( I RMS _ MOSFET ) 2 × R ON
R ON is the on-resistance of the internal power MOSFET
(see the Electrical Characteristics).
The power loss due to switching the internal MOSFET:
V × I × ( t + t ) × f
4
t R and t F are the rise and fall times of the internal power
MOSFET measured at LX.
× ? I PK + ( I PK DC ) + I DC ? ?
D ? 2 2
I RMS _ MOSFET =
3 ? ?
× I
The power loss due to the switching supply current (I SW ):
P Q = V IN _ SW × I SW
I PK = I OUT +
I DC = I OUT ?
? I P ? P
2
? I P ? P
2
The power loss due to the LDO regulator:
P LDO = ( V IN _ LDO ? V LDO _ OUT ) × I LDO _ OUT
D =
V OUT
V IN
The total power dissipated in the device will be:
P TOTAL = P MOSFET + P SW + P Q + P LDO
22
______________________________________________________________________________________
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GBM10DRKH-S13 | CONN EDGECARD 20POS .156 EXTEND |
| RCM06DRTS | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
| MAX15017AATX+T | IC REG DL BCK/LINEAR 36TQFNEP |
| MAX15014BATX+T | IC REG DL BCK/LINEAR 36TQFNEP |
| RCM06DRKS | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAX15018AASA+ | 功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX15018AASA+T | 功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX15018BASA+ | 功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX15018BASA+T | 功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX15019AASA+ | 功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。