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参数资料
| 型号： | MAX17000ETG+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 4/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWM CTLR DDR/DDR2/DDR3 24TQFN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | Quick-PWM™ |
| 应用： | 存储器，DDR2/DDR3 稳压器 |
| 电流 - 电源： | 2mA |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-WFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 24-TQFN-EP（4x4） |
| 包装： | 管件 |
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MAX17000
Complete DDR2 and DDR3 Memory
Power-Management Solution
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V IN = 12V, V CC = V DD = V SHDN = V REFIN = 5V, V CSL = 1.8V, STDBY = SKIP = AGND, T A = 0°C to +85°C , unless otherwise noted.
Typical values are at T A = +25°C.) (Note 1)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
REFERENCE BUFFER (VTTR)
VTTR Output Accuracy (Adj)
VTTR Output Accuracy (Preset)
VTTR Maximum
Recommended Current
REFIN to VTTR
V CSL /2 to VTTR
Source/sink
I VTT = ±1mA
I VTT = ±3mA
I VTT = ±1mA
I VTT = ±3mA
-10
-20
-10
-20
5
+10
+20
+10
+20
mV
mA
FAULT DETECTION (SMPS)
SMPS OVP and PGOOD1
Upper Trip Threshold
12
15
18
%
SMPS OVP and PGOOD1
Upper Trip Threshold
t OVP
FB forced 25mV above trip threshold
10
μs
Fault-Propagation Delay
SMPS Output Undervoltage
Fault-Propagation Delay
t UVP
200
μs
SMPS PGOOD1 Lower Trip
Threshold
PGOOD1 Lower Trip Threshold
Propagation Delay
PGOOD1 Output Low Voltage
t PGOOD1
Measured at FB, hysteresis = 25mV
FB forced 50mV below PGOOD1 trip
threshold
I SINK = 3mA
-12
-15
10
-18
0.4
%
μs
V
PGOOD1 Leakage Current
TON POR Threshold
I PGOOD1
V POR(IN)
FB = 1V (PGOOD1 high impedance),
PGOOD1 forced to 5V, T A = +25°C
Rising edge, PWM disabled below this level;
hysteresis = 200mV
3.0
1
μA
V
FAULT DETECTION (VTT)
PGOOD2 Upper Trip Threshold
PGOOD2 Lower Trip Threshold
PGOOD2 Propagation Delay
t PGOOD2
Hysteresis = 25mV
Hysteresis = 25mV
VTTS forced 50mV beyond PGOOD2
trip threshold
8
-13
10
-10
10
13
-8
%
%
μs
PGOOD2 Fault Latch Delay
PGOOD2 Output Low Voltage
VTTS forced 50mV beyond PGOOD2
trip threshold
I SINK = 3mA
5
0.4
ms
V
PGOOD2 Leakage Current
I PGOOD2
VTTS = V REFIN (PGOOD2 high impedance),
PGOOD2 forced to 5V, T A = +25°C
1
μA
FAULT DETECTION
Thermal-Shutdown Threshold
T SHDN
Hysteresis = 15 ° C
160
° C
V CC Undervoltage Lockout
Threshold
V UVLO(VCC)
Rising edge, IC disabled below this level
hysteresis = 200mV
3.8
4.1
4.4
V
4
CSL Discharge MOSFET
OVP = V CC
16
Maxim Integrated
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAX17000ETG+ | 功能描述:电压模式 PWM 控制器 DDR2 & DDR3 Memory Power-Mgt RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:1 拓扑结构:Buck 输出电压:34 V 输出电流: 开关频率: 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V 电源电流:600 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| MAX17000ETG+T | 功能描述:电压模式 PWM 控制器 DDR2 & DDR3 Memory Power-Mgt RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:1 拓扑结构:Buck 输出电压:34 V 输出电流: 开关频率: 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V 电源电流:600 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
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| MAX17003AETJ+T | 功能描述:电压模式 PWM 控制器 Quad Out Main Power Supply Controller RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:1 拓扑结构:Buck 输出电压:34 V 输出电流: 开关频率: 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V 电源电流:600 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
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