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参数资料
| 型号： | MAX8521EWX+T |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 5/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR PWR TEC 36-WLP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 2,500 |
| 应用： | 热电冷却器 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 36-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 36-WLP（3.07x3.07） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Smallest TEC Power Drivers for Optical
Modules
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V DD = V PVDD1 = V PVDD2 = V SHDN = 5V, 1MHz mode (Note 4). PGND1 = PGND2 = GND, CTLI = MAXV = MAXIP = MAXIN = REF,
T A = -40°C to +85°C , unless otherwise noted.) (Note 8)
PARAMETER
MAXV Threshold Accuracy
SYMBOL
CONDITIONS
V MAXV = V REF x 0.67, V OS1 to V OS2 = ± 4V,
V DD = 5V
V MAXV = V REF x 0.33, V OS1 to V OS2 = ± 2V,
V DD = 3V
MIN
-2
-3
MAX
+2
+3
UNITS
%
%
I MAXV-
MAXV, MAXI_ Input Bias Current
BIAS ,
V MAXV = V MAXI_ = 0.1V or 1.5V
-0.1
+0.1
μA
I MAXI_-BIAS
CTLI Gain
CTLI Input Resistance
A CTLI
R CTLI
V CTLI = 0.5V to 2.5V (Note 7)
1M ? terminated at REF
9.5
0.5
10.5
2.0
V/V
M ?
Error-Amp Transconductance
V ITEC Accuracy
g m
V OS1 to V CS = ± 100mV
V OS1 = V DD /2
50
-10
160
+10
μS
%
Note 4: Enter 1MHz mode by connecting a 60k ? resistor from FREQ to ground for the MAX8520, and connecting FREQ to V DD for
the MAX8521.
Note 5: Includes power FET leakage.
Note 6: Duty-cycle specification is guaranteed by design and not production tested.
Note 7: CTLI Gain is defined as:
A CTLI =
? V CTLI
? ( V OS 1 ? V CS )
Note 8: Specifications to -40°C are guaranteed by design and not production tested.
Typical Operating Characteristics
(V DD = 5V, circuit of Figure 1, T A = +25°C unless otherwise noted.)
90
80
70
60
50
EFFICIENCY vs. TEC CURRENT
V DD = 5V, R TEC = 2 ?
FREQ = 500kHz
FREQ = 1MHz
90
80
70
60
50
EFFICIENCY vs. TEC CURRENT
V DD = 3.3V, R TEC = 1.3 ?
FREQ = 500kHz
FREQ = 1MHz
COMMON-MODE
OUTPUT VOLTAGE RIPPLE
MAX8520/21 toc03
C 2 = C 7 = 1 μ F
V OS2
20mV/div
AC-COUPLED
40
40
30
20
10
0
30
20
10
0
V OS1
20mV/div
AC-COUPLED
I TEC = 1A
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
400ns/div
TEC CURENT (A)
TEC CURRENT (A)
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5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX17020ETJ+T | IC CTLR PWM DUAL STEP DN 32-TQFN |
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| AMM02DRAN | CONN EDGECARD 4POS .156 R/A |
| GBC19DRTS-S93 | CONN EDGECARD 38POS DIP .100 SLD |
| GCC10DRTI-S93 | CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAX8523EEE | 功能描述:直流/直流开关转换器 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大输入电压:4.5 V 开关频率:1.5 MHz 输出电压:4.6 V 输出电流:250 mA 输出端数量:2 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT |
| MAX8523EEE+ | 功能描述:功率驱动器IC Gate Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX8523EEE+T | 功能描述:功率驱动器IC Gate Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX8523EEE-T | 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX8524EEI | 功能描述:电流型 PWM 控制器 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关频率:27 KHz 上升时间: 下降时间: 工作电源电压:6 V to 15 V 工作电源电流:1.5 mA 输出端数量:1 最大工作温度:+ 105 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-14 |
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