参数资料
型号: MAX8555EUB+T
厂商: Maxim Integrated
文件页数: 16/17页
文件大小: 0K
描述: IC CNTRLR MOSFET ORING 10-UMAX
产品培训模块: Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
标准包装: 2,500
应用: 电信电源,整流器
FET 型: N 沟道
输出数: 1
内部开关:
延迟时间 - 关闭: 100ns
电源电压: 8 V ~ 13.25 V
电流 - 电源: 2mA
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: 10-µMAX
包装: 带卷 (TR)
Low-Cost, High-Reliability, 0.5V to 3.3V ORing
MOSFET Controllers
Package Information
(The package drawing(s) in this data sheet may not reflect the most current specifications. For the latest package outline information,
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L
D
A
A2
D2
PIN 1 ID
1
b
N
C0.35
1
PIN 1
INDEX
AREA
E
DETAIL A
E2
[(N/2)-1] x e
REF.
e
A1
L
C L
e
e
C L
k
L
A
DALLAS
SEMICONDUCTOR
PROPRIETARY INFORMATION
TITLE:
PACKAGE OUTLINE, 6, 8 & 10L,
TDFN, EXPOSED PAD, 3x3x0.80 mm
NUMBER OF LEADS SHOWN ARE FOR REFERENCE ONLY
APPROVAL
DOCUMENT CONTROL NO.
21-0137
REV.
D
1
2
COMMON DIMENSIONS
SYMBOL
A
D
E
A1
L
MIN.
0.70
2.90
2.90
0.00
0.20
MAX.
0.80
3.10
3.10
0.05
0.40
k
A2
0.25 MIN.
0.20 REF.
PACKAGE VARIATIONS
PKG. CODE
T633-1
T833-1
T1033-1
N
6
8
10
D2
1.50±0.10
1.50±0.10
1.50±0.10
E2
2.30±0.10
2.30±0.10
2.30±0.10
e
0.95 BSC
0.65 BSC
0.50 BSC
JEDEC SPEC
MO229 / WEEA
MO229 / WEEC
MO229 / WEED-3
b
0.40±0.05
0.30±0.05
0.25±0.05
[(N/2)-1] x e
1.90 REF
1.95 REF
2.00 REF
DALLAS
SEMICONDUCTOR
PROPRIETARY INFORMATION
TITLE:
PACKAGE OUTLINE, 6, 8 & 10L,
TDFN, EXPOSED PAD, 3x3x0.80 mm
APPROVAL
DOCUMENT CONTROL NO.
21-0137
REV.
D
2
2
16
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PDF描述
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参数描述
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MAX8556ETE/GG8 功能描述:低压差稳压器 - LDO RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压(最大值):307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20
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