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参数资料
| 型号： | MB352W |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 35 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | METAL, MB-35W, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | MB352W |
21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax:
(818) 701-4939
MB3505W
THRU
MB3510W
35 Amp Single Phase
Bridge Rectifier
50 to 1000 Volts
MB-35W
Features
Mounting Hole For #8 Screw
High Conductivity Metal Case
Any Mounting Position
Surge Rating Of 400 Amps
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
---
1.140
---
29.00
B
---
.452
---
11.50
C
---
.750
---
19.10
D
.692
.732
17.6
18.6
E
.040
---
1.00
---
4PL/TYP
G
.188
---
4.77
---
H
.429
.468
10.9
11.9
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55
°C to +175°C
Storage Temperature: -55
°C to +175°C
Microsemi
Part Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS Voltage
Maximum DC
Blocking
Voltage
MB3505W
50V
35V
50V
MB351W
100V
70V
100V
MB352W
200V
140V
200V
MB354W
400V
280V
400V
MB356W
600V
420V
600V
MB358W
800V
560V
800V
MB3510W
1000v
700V
1000v
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
35.0A
TJ = 55
°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
400A
8.3ms, half sine
Maximum Forward
Voltage Drop Per
Element
VF
1.1V
IFM = 17.5A per
element;
TJ = 25
°C*
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
10
A
1.0mA
TJ = 25
°C
TJ = 100
°C
*Pulse test: Pulse width 300
sec, Duty cycle 1%
B
C
E
D
AC
+
-
A
AC
G
A
H
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB356W | 35 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MBR10H150CT-E3/45 | 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR2080CT-F | 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR20100CT-F | 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR24045 | 240 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB352-W | 功能描述:桥式整流器 35A 200V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB352W-B | 功能描述:桥式整流器 200V 35A RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB352W-BP | 功能描述:桥式整流器 200V 35A RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB352W-F | 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 200V 35A MB-W RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 桥式整流器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 14/Mar/2011 标准包装:1,500 系列:- 电压 - 峰值反向(最大):1000V 电流 - DC 正向(If):1.5A 二极管类型:单相 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD 包装:带卷 (TR) 供应商设备封装:4-SDIP |
| MB354 | 功能描述:桥式整流器 35A 400V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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