| 型号: | MB4S/30-E3 |
| 厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 0.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA |
| 封装: | PLASTIC, MBS, 4 PIN |
| 文件页数: | 2/2页 |
| 文件大小: | 42K |
| 代理商: | MB4S/30-E3 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRF25H50CT-E3 | 15 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRF25H50CT/45-E3 | 15 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MQ1PMT4120E3 | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| MX1PMT4123E3 | 39 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| MX1PMT4627DE3 | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB4S-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MB4S-E3 |
| MB4S-E3/45 | 功能描述:桥式整流器 400 Volt 0.5 Amp 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB4S-E3/80 | 功能描述:桥式整流器 400 Volt 0.5 Amp 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB4S-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Glass Passivated Bridge Rectifiers |
| MB4SH0C2 | 制造商:HellermannTyton 功能描述:Cable Ties Screw Mount Polyamide 6/6 Black Bag |