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参数资料
| 型号： | MB84VA2105-10 |
| 厂商： | FUJITSU LTD |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | 16M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48 |
| 封装： | PLASTIC, FBGA-48 |
| 文件页数： | 17/29页 |
| 文件大小： | 401K |
| 代理商： | MB84VA2105-10 |
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17
MB84VA2104
-10
/MB84VA2105
-10
Write Cycle (CEf control) (Flash)
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
t
CP
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
WE
OE
DQ
t
AS
t
CPH
t
DH
DQ
7
A0H
D
OUT
CEf
555H
PA
PA
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
WS
t
WH
t
GHEL
PD
ADDRESSES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VA2106-10 | Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:8; Impedance:50ohm; Conductor Size AWG:11; No. Strands x Strand Size:7 x 19; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Conductor Material:Copper; Jacket Color:Black; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
| MB84VA2106 | 16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2107 | 16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2107-10 | 16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VD2008-10 | 8M (x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 16) STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB84VA2106 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2106-10 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2107 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2107-10 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VB2000 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY |
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