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参数资料
| 型号： | MB84VD22184EA-90PBS |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA71 |
| 封装： | PLASTIC, BGA-71 |
| 文件页数： | 1/64页 |
| 文件大小： | 1177K |
| 代理商： | MB84VD22184EA-90PBS |
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DS05-50219-1E
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM
CMOS
32 M (
××××8/××××16) FLASH MEMORY &
4 M (
××××8/××××16) STATIC RAM
MB84VD2218XEA/2218XEH-70/85/90
MB84VD2219XEA/2218XEH-70/85/90
s
s FEATURES
Power Supply Voltage of 2.7 V to 3.3 V
High Performance
70 ns/85 ns/90 ns maximum access time (Flash)
70 ns/85 ns maximum access time (SRAM)
Operating Temperature
25 °C to +85 °C
Package 71-ball BGA
(Continued)
s
s PRODUCT LINE UP
s
s PACKAGE
Flash Memory
SRAM
-70
-85
-90
-70
-85/-90
Power Supply Voltage (V)
VCCf*
= 3.0 V
VCCs*
= 3.0 V
Max Address Access Time (ns)
70
85
90
70
85
Max CE Access Time (ns)
70
85
90
70
85
Max OE Access Time (ns)
30
35
40
35
45
+0.3 V
0.3 V
+0.3 V
0.3 V
71-ball plastic BGA
(BGA-71P-M02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M93C66-WMB3TP | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MT48LC4M16A2P-75:G | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| M93C06-MB6G | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MT48LC4M16A2F4-6IT:G | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54 |
| MT46V32M8FG-6TIT:G | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB84VD22184EC | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184EC-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184EC-90-PBS | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184EE | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184EE-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
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