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参数资料
| 型号： | MB85342C-70 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| 中文描述： | 的CMOS 200万× 32位的超页模式内存的CMOS（200万× 32位超级页面存取模式动态内存模块） |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 746K |
| 代理商： | MB85342C-70 |
4
MB85342C-60/-70
I
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
* :Undershoots of up to –2.0 volts with a pulse width not exceeding 20 ns are acceptable.
I
DC CHARACTERISTICS
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Supply Voltage
V
CC
4.5
5.0
5.5
V
Ground
V
SS
—
0
—
V
Input High Voltage, All Inputs
V
IH
2.4
—
6.5
V
Input Low Voltage, All Inputs*
V
IL
–0.3
—
0.8
V
°
C
Ambient Temperature
T
A
0
—
70
Parameter
Notes
Symbol
Condition
Value
Unit
Min. Typ. Max.
Output High Voltage
*1
V
OH
I
OH
= –5 mA
2.4
—
—
V
Output Low Voltage
*1
V
OL
I
OL
= 4.2 mA
—
—
0.4
V
Input Leakage Current
RAS
I
I(L)
0 V
≤
V
IN
≤
5.5 V;
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V;
V
SS
= 0 V, All other pins
not under test = 0 V
–30
—
30
μ
A
CAS
–30
—
30
Address, WE
–90
—
90
Output Leakage Current
I
O(L)
0 V
≤
V
OUT
≤
5.5 V;
Data out disabled
–10
—
10
μ
A
Operating Current
(Average Power
Supply Current)
*2
MB85342C-60
I
CC1
CAS & CAS cycling;
t
RC
= min
—
576
mA
MB85342C-70
—
520
Standby Current
(Power Supply
Current)
TTL Level
I
CC2
RAS = CAS = V
IH
—
32
mA
CMOS Level
RAS = CAS
≥
V
CC
–0.2 V
—
16
Refresh Current #1
(Average Power
Supply Current)
*2
MB85342C-60
I
CC3
CAS = V
IH
, RAS = cycling;
t
RC
= min
—
576
mA
MB85342C-70
—
520
Fast Page Mode
Current
*2
MB85342C-60
I
CC4
RAS = V
IL
, CAS = cycling;
t
PC
= min
—
416
mA
MB85342C-70
—
384
Refresh Current #2
(Average Power
Supply Current)
*2
MB85342C-60
I
CC5
RAS cycling,
CAS-before-RAS;
t
RC
= min
—
480
mA
MB85342C-70
—
440
Refresh Current #3
(Average Power
Supply Current)
MB85342C-60
I
CC9
RAS = CAS
≤
0.2 V,
Self Refresh
—
16
mA
MB85342C-70
—
16
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MB85R1001A | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K x 8) |
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