参数资料
型号: MBD54DWT1D
厂商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: Dual Schottky Barrier Diodes
中文描述: 双肖特基二极管
文件页数: 2/4页
文件大小: 85K
代理商: MBD54DWT1D
5–2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (IF) of 10 mA.
Notes:
2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA.
Notes:
3. tp trr
+10 V
2 k
820
0.1
μ
F
DUT
VR
100
μ
H
0.1
μ
F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC) = 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF = IR = 10 mA; measured
at iR(REC) = 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
100
0.0
0.1
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Forward Voltage
0.2
0.3
0.4
0.5
10
1.0
0.1
85
°
C
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
0.001
5
10
15
20
25
14
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
12
4
2
0
C
5
10
15
30
I
Figure 3. Leakage Current
Figure 4. Total Capacitance
–40
°
C
25
°
C
TA = 150
°
C
TA = 125
°
C
TA = 85
°
C
TA = 25
°
C
I
μ
A
0.6
–55
°
C
150
°
C
125
°
C
100
1000
30
25
20
6
8
10
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