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参数资料
| 型号： | MBD770DWT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 103K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY DUAL 70V SOT-363 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 - 2 个独立式 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 70V |
| 电容@ Vr, F： | 1pF @ 20V，1MHz |
| 功率耗散（最大）： | 120mW |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MBD770DWT1GOSDKR |
MBD110DWT1G, MBD330DWT1G
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
MBD330DWT1G
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Total Capacitance
IF, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 7. Minority Carrier Lifetime
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Reverse Leakage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Forward Voltage
KRAKAUER METHOD
f = 1.0 MHz
, FORWARD CURRENT (mA)
I
F
, REVERSE LEAKAGE ( A)
I
R
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.001
0 6.0 12 18 24
10
1.0
0.1
0.01
0
020406010 30 50 70 9080 100
500
0
0 3.0 6.0 9.0 12 15 2118
2.8
30
24 27
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
100
10
1.0
30
400
300
200
100
0.4
, MINORITY CARRIER LIFETIME (ps)
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
C
T
TA
= -
°C
TA
= 85
°C
TA
= 25
°C
TA
= 100
°C
TA
= 75
°C
TA
= 25
°C
MBD330DWT1G
MBD330DWT1G
MBD330DWT1G
MBD330DWT1G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3314J-1-201E | TRIMMER 200 OHM 0.25W SMD |
| 95C06E3T | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V |
| MLRR-4 27-38 | SWITCH REED SPST 1A 27-38 A/T |
| MMZ1005A102E | FERRITE CHIP 1000 OHM 250MA 0402 |
| MCM01-010ED750G-F | CAP MICA 75PF 500V 2% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBD-902-AL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor |
| MBD-902-CL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor |
| MBD-902-XL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor |
| MBD-A1SAM-2750F-B | 制造商:Supermicro Computer Inc 功能描述:INTEL MOTHERBOARD - Trays |
| MBD-A1SAM-2750F-O | 制造商:Supermicro Computer Inc 功能描述:INTEL MOTHERBOARD - Trays |
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