型号: | MBR10100-E3/45 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 3/5页 |
文件大小: | 131K |
代理商: | MBR10100-E3/45 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MBRB1545CT-HE3/45 | 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
MBRB20H45CT-HE3/45 | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
MBRB20H60CT-E3/81 | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
MBRB2550CT-E3/81 | 15 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
MBRB30H45CT-HE3/45 | 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MBR10100-E34W | 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Trench MOS Schottky technology |
MBR10100F | 制造商:ASEMI 制造商全称:ASEMI 功能描述:MBR10100FDual High-Voltage Schottky Rectifiers |
MBR10100FCT | 制造商:SIRECTIFIER 制造商全称:Sirectifier Semiconductors 功能描述: |
MBR10100G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
MBR10100-M3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:10A,100V,TRENCH SKY RECT. |