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参数资料
| 型号： | MBR10100FCT |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 676K |
| 代理商： | MBR10100FCT |
MBR1020FCT thru MBR10100FCT
MCC
10
8
6
4
2
0
50
100
150
CASE TEMPERATURE, J
40
20
10
8
6
4
2
1.0
.8
. .6
.4
.2
.1
.4
.5
.6
.7
.8
9
1.0
1.1
50. 60V
20. 30. 40V
TJ = 25J
PULSE WIDTH = 200
gs
80. 100V
INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTIC
Fig. 1-FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Fig. 2-TYPICAL INSTNATANEOUS FORWARD
CHARACTERISTIC
150
130
110
90
70
50
30
20
10
1
2
5
10
20
50
100
8.3ms SINGLE HALF SINE
WAVE JEDEC METHOD
NO. OF CYCLES AT 60Hz
Fig.
3-MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
A
V
E
R
A
G
E
F
O
R
W
A
R
D
C
U
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T
,
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K
F
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A
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D
S
U
R
G
E
C
U
R
E
N
T
,A
M
P
E
R
E
S
Revision: 4
2006/05/30
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR10100 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBR10100 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220 |
| MBR10125CT | 10 A, 125 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR10125CT | 10 A, 125 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR10150CT-E1 | 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR10100G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR10100-M3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:10A,100V,TRENCH SKY RECT. |
| MBR10100MFST1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:10 A 100 V SCHOTTKY DIOD - Tape and Reel |
| MBR1010CT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:10A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| MBR1010FCT | 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Surge overload -240~500 amperes peak |
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