型号: | MBR10H150CT-E3 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 整流器 |
英文描述: | 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
封装: | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 317K |
代理商: | MBR10H150CT-E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MA30KP130ATR | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
MA30KP170ATR | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
MA30KP220 | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
MQ30KP33CATR | 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
MSP30KP180ATR | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MBR10H150CT-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 150 Volt 10A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
MBR10H200CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 200 Volt Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
MBR10H35 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers |
MBR10H45 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers |
MBR10H45/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 45 Volt 10A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |