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参数资料
| 型号： | MBR10H150CT-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | MBR10H150CT-E3 |
MBR10H150CT, MBRF10H150CT & SB10H150CT-1
Document Number 88779
29-Aug-05
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Forward Derating Curve (Total)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
Per Leg
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Leg
0
2
4
6
8
10
12
25
50
75
100
125
150
175
A
v
er
age
F
orw
ard
Current
(A)
Case Temperature (°C)
MBRF
MBR, MBRB
0
20
40
60
80
200
180
160
140
120
100
1
10
100
P
eak
F
orw
ard
Surge
Current
(A)
Number of Cycles at 60 HZ
TJ =TJmax
8.3 ms single half-wave
0.1
0.3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.5
0.7
0.9
1.1
1.2
100
10
0.1
1
Instantaneous Forward Voltage (V)
I F
--
Instantaneous
Forward
Current
(A)
TJ = 175 °C
TJ = 125 °C
TJ =75 °C
TJ =25 °C
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Leg
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Leg
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Leg
0.1
0.01
1
10
100
1000
10000
I R
--
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
10
20
30
50
70
100
40
60
8090
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TJ = 175 °C
TJ = 125 °C
TJ =75 °C
TJ =25 °C
Junction
Capacitance
(pF)
1
10
100
1000
10000
0.1
10
Reverse Voltage (V)
0.01
1
10
100
10
100
0.1
1
t -- Pulse Duration (sec.)
Transient
Thermal
Impedance
(°
C/W)
MBRF
MBR, MBRB
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