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参数资料
| 型号： | MBR120VLSFT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 61K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 340mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 600µA @ 20V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | SOD-123L |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 工具箱： | SCHOTTRECA-KIT-ND - KIT SCHOTTKY RECT SMD SAMPLE |
| 其它名称： | MBR120VLSFT1OSCT |
MBR120VLSFT1
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
20
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR) TL
= 119
°C
IF(AV)
1.0
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
IFSM
45
A
Storage Temperature Range
Tstg
?65 to +125
°C
Operating Junction Temperature
TJ
?65 to +125
°C
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dv/dt
1000
V/s
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance ? Junction?to?Lead (Note 1)
Thermal Resistance ? Junction?to?Lead (Note 2)
Thermal Resistance ? Junction?to?Ambient (Note 1)
Thermal Resistance ? Junction?to?Ambient (Note 2)
Rtjl
Rtjl
Rtja
Rtja
26
21
325
82
°C/W
1. Mounted with minimum recommended pad size, PC Board FR4.2
).
2. Mounted with 1 in. copper pad (Cu area 700 mm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
TJ
= 25
C
TJ
= 85
C
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 3)
(IF
= 0.1 A)
(IF
= 0.5 A)
(IF
= 1.0 A)
VF
0.275
0.315
0.340
0.205
0.270
0.300
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 3)
(Rated DC Voltage)
IR
0.60
15
mA
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2%.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR120VLSFT1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Surface Mount Schottky Power Rectifier |
| MBR120VLSFT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR120VLSFT1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MBR120VLSFT3 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR120VLSFT3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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