- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录39581 > MBR15H60CT-E3/45 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MBR15H60CT-E3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | MBR15H60CT-E3/45 |
New Product
MBR(F,B)15H35CT thru MBR(F,B)15H60CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88782
Revision: 19-May-08
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Forward Derating Curve Per Diode
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
Per Diode
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
0
5
10
15
20
25
50
75
100
125
150
175
MBRF
MBR, MBRB
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Case Temperature (°C)
10
1
100
25
50
75
100
125
150
175
T
J = TJ max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
0.01
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0
1
10
100
MBR15H35CT - MBR15H45CT
MBR15H50CT - MBR15H60CT
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
060
40
100
80
0.0001
0.001
0.1
0.01
1
10
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
MBR15H35CT - MBR15H45CT
MBR15H50CT - MBR15H60CT
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
Leakage
C
u
rrent
(mA)
20
1
0.1
10
100
1000
10
1
MBR15H35CT - MBR15H45CT
MBR15H50CT - MBR15H60CT
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.01
0.1
1
10
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR15H60CT-HE3/45 | 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRB15H35CT-HE3/81 | 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRB15H45CT-HE3/45 | 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRB15H45CT-HE3/81 | 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRB15H50CT-E3/45 | 7.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR15H60CTHE3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 60 Volt 15A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR160 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR160_ R2 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| MBR160G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR160HWTR | 功能描述:PIV 60V IO 1A VF 0 72V PACKAGE S 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:720mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。