参数资料
型号: MBR1H100SFT3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 101K
描述: DIODE SCHOTTKY 1A 100V SOD-123FL
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 760mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 40µA @ 100V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123F
供应商设备封装: SOD-123FL
包装: 标准包装
其它名称: MBR1H100SFT3GOSDKR
MBR1H100SFT3G, NRVB1H100SFT3G
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Maximum Forward Voltage
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V) VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
0.8
0.6
0.4
0 0.2
0.1
1
10
100
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.1
1
10
100
Figure 3. Typical Reverse Current Figure 4. Maximum Reverse Current
VR, REVERSE VOLTAGE (V) VR, REVERSE VOLTAGE (V)
40 70 10090
80
60
50
30
20
10
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
40 70 10090
80
60
50
30
20
10
0
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
I
R
, REVERSE CURRENT (mA)
I
R
, REVERSE CURRENT (mA)
1.2 1.4
1.0
150°C
125°C
25°C
150°C
125°C
25°C
Figure 5. Current Derating
TL, LEAD TEMPERATURE (°C)
155 170160
165
150
145
140
135
0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
dc
Square Wave
RJL
= 23
°C/W
IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
P
FO
, AVERAGE POWER DISSIPATION (W)
TJ
= 175
°C
dc
Square Wave
Figure 6. Forward Power Dissipation
0.2
0
150°C
125°C
25°C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
150°C
125°C
25°C
175
1.6
1.4
1.2
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