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参数资料
| 型号： | MBR20100CT-E3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | MBR20100CT-E3/45 |
www.vishay.com
2
Document Number: 88672
Revision: 03-Apr-07
Vishay General Semiconductor
MBR(F,B)2090CT & MBR(F,B)20100CT
Note:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
VALUE
UNIT
Maximum instantaneous forward voltage per diode (1)
IF = 10 A,
IF = 20 A,
TC = 25 °C
TC = 125 °C
TC = 25 °C
TC = 125 °C
VF
0.80
0.65
0.95
0.75
V
Maximum reverse current per diode at working peak
reverse voltage (1)
Tj = 25 °C
Tj = 100 °C
IR
100
6.0
A
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
MBR
MBRF
MBRB
UNIT
Typical thermal resistance per diode
RθJA
RθJC
60
2.0
-
3.5
60
2.0
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
TO-220AB
MBR20100CT-E3/45
1.85
45
50/Tube
Tube
ITO-220AB
MBRF20100CT-E3/45
1.99
45
50/Tube
Tube
TO-263AB
MBRB20100CT-E3/45
1.35
45
50/Tube
Tube
TO-263AB
MBRB20100CT-E3/81
1.35
81
800/Reel
Tape Reel
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
4
8
12
20
0
50
100
150
16
Case Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(
A)
Resistive or Inductive Load
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
40
60
100
80
140
120
160
1
100
10
Tj = Tj max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
P
e
ak
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRB2090CT-E3/45 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRB2090CT-E3/81 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRF2090CT-E3/45 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRB20100CT-E3/81 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBR2090CT-E3/45 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR20100CT-E3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier |
| MBR20100CT-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MBR20100CT-F - Bulk |
| MBR20100CTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR20100CT-G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 100V, 20A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR20100CTG-1 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 100 Volt Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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