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参数资料
| 型号： | MBR2030CT-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20A 30V TO-220AB |
| 标准包装： | 2,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 840mV @ 20A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 20A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 盒 |
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (MBR2030CT-G Thru. MBR20150CT-G)
QW-BB046
Comchip Technology CO., LTD.
FIG.2- Maximum Non-Repetitive Surge Current
P
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a
k
F
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C
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A
)
1
250
200
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100
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0
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10
2
5
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50
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(
A
)
FIG.4-
T
ypical
Forward
Characteristics
Instantaneous
Forward
Voltage,
(
V
)
C
a
p
a
c
i
t
a
n
c
e
,
(
p
F
)
FIG.5- Typical Junction Capacitance
1000
100
10
FIG.1- Forward
C
urrent Derating
C
urve
FIG.3-
T
ypical
Rever
Characteristics
SSMMDD
SScchhoottttkkyy
BBaarrrriieerr
RReeccttiiffiieerrss
Case Temperature, (°C)
Number Of Cycles at 60Hz
Reverse Voltage, (V)
1
10
100
0.1
MBR2030CT-G~
MBR20400CT-G
MBR2030CT-G~
MBR20400CT-G
TJ=25°C
f=1MHz
0.6
0.5
0.3
0.1
0.1
1
10
100
1.0
0.8
0.2
0.4
0.7
0.9
MBR2030CT-G~
MBR2040CT-G
MBR2050CT-G~
MBR2060CT-G
MBR2080CT-G~
MBR20100CT-G
TJ=25°C
PULSE
WIDTH
300US
2%
DUTY
CYCLE
MBR20150CT-G
Percent
Of
Rated
Peak
Reverse
Voltage,
(
%)
15.0
10.0
5.0
20.0
0
25
100
50
75
125
150
175
0
25.0
Single
Phase
Half
Wave
60Hz
Resistive
or
Inductive
Load
Pulse Width 8.3ms
Single Half-Sine-Wave
(JEDEC METHOD)
Page 2
REV:B
I
n
s
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(
A
)
80
60
0.01
0.1
10
1000
140
20
40
100
120
1.0
MBR2030CT-G~MBR2060CT-G
MBR2080CT-G~MBR20150CT-G
TJ=125°C
TJ=25°C
100
0
Comchip
S
M
D
D
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o
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S
p
e
c
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a
l
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