- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20603 > MBR2060CT-E3/45 (Vishay General Semiconductor)DIODE SCHOT 20A 60V DUAL TO220-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MBR2060CT-E3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 502K |
| 描述： | DIODE SCHOT 20A 60V DUAL TO220-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
MBR(F,B)2035CT thru MBR(F,B)2060CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88674
Revision: 08-Nov-07
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
100
10
1.0
0.1
0.01
MBR2035CT - MBR2045CT
MBR2050CT & MBR2060CT
0 0.20.1 1.0 1.1 1.20.3 0.6 0.7 0.0.4
0.5 0.98
TJ
= 150 °C
TJ
= 25 °C
Pulse Width = 300 μs
1 %
D
uty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
1
10
100
0.01
0.001
0.1
0 10020
40 60
80
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
TJ
= 75 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
MBR2035CT - MBR2045CT
MBR2050CT & MBR2060CT
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
10
1
100
1000
10 000
100
0.1
MBR2035CT - MBR2045CT
MBR2050CT & MBR2060CT
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capacitance (pF)
0.01
10
1
100
10
100
0.1
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECM10DCAI | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| MBR2050CT-E3/45 | DIODE SCHOT 20A 50V DUAL TO220-3 |
| ISL6612BCBZ-T | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC |
| VI-BNY-EU-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 132W |
| UB10DCT-E3/4W | DIODE 10A 200V 20NS DUAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR2060CTF-E1 | 制造商:BCDSEMI 制造商全称:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| MBR2060CTF-G1 | 制造商:BCDSEMI 制造商全称:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| MBR2060CTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR2060CT-G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 60V, 20A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR2060CT-G1 | 制造商:BCDSEMI 制造商全称:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。