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参数资料
| 型号： | MBR20H200CTE3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 378K |
| 代理商： | MBR20H200CTE3 |
www.vishay.com
4
Document Number 88786
26-Aug-05
MBR20H200CT, MBRF20H200CT & SB20H200CT-1
Vishay Semiconductors
Package outline dimensions in inches (millimeters)
0.405 (10.28)
0.389 (9.88)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
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0.393 (10.00)
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0.472 (12.00)
12
K
3
PIN
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0.018 (0.45)
0.100
(2.54) Typ.
0.200 (5.08) Typ.
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0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
TO-262AA
T O -220AB
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0.185 (4.70)
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Typ.
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Typ.
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PIN
2
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Dia.
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0.396 (10.05)
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12
3
PIN
0.408 (10.36)
0.392 (9.96)
ITO-220AB
0.270 (6.88)
0.255 (6.48)
0.264 (6.70)
0.248 (6.50)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRF20H200CTE3 | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR20H90CTG-HE3/45 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR20H100CTG-E3/45 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR2545CT-006 | 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBR30060CT | 150 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR20H200CT-E3 | 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Guarding for overvoltage protection |
| MBR20H200CT-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR20H200FCT | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers |
| MBR20H35CT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Schottky Barrier Rectifier |
| MBR20H35CT-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 35 Volt Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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