参数资料
型号: MBR2H100SFT3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 128K
描述: DIODE SCHOTTKY 2A 100V SOD-123FL
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 840mV @ 2A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 40µA @ 100V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123F
供应商设备封装: SOD-123FL
包装: 标准包装
其它名称: MBR2H100SFT3GOSDKR
MBR2H100SFT3G, NRVB2H100SFT3G
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
100
V
Average Rectified Forward Current
(TL
= 146
°C)
IO
2.0
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
IFSM
50
A
Storage and Operating Junction Temperature Range (Note 1)
Tstg, TJ
?65 to +175
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t
he
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from
Junction?to?Ambient: dPD/dTJ
< 1/R
JA.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction?to?Lead (Note 2)
JCL
23
°C/W
Thermal Resistance, Junction?to?Ambient (Note 2)
RJA
85
°C/W
Thermal Resistance, Junction?to?Ambient (Note 3)
RJA
330
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage
(Note 4)
(IF
= 1.0 A, T
J
= 25
°C)
(IF
= 2.0 A, T
J
= 25
°C)
(IF
= 1.0 A, T
J
= 125
°C)
(IF
= 2.0 A, T
J
= 125
°C)
VF
0.76
0.84
0.61
0.68
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 4)
(Rated dc Voltage, TJ
= 25
°C)
(Rated dc Voltage, TJ
= 125
°C)
IR
40
0.5
A
mA
2. Mounted with 700 mm2
copper pad size (Approximately 1 in
2) 1 oz FR4 Board.
2
copper, 1 oz FR4 Board.
3. Mounted with pad size approximately 20 mm
4. Pulse Test: Pulse Width ≤
380
s, Duty Cycle ≤
2.0%.
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