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参数资料
| 型号： | MBR2H100SFT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 128K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 2A 100V SOD-123FL |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 840mV @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 40µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | SOD-123FL |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MBR2H100SFT3GOSDKR |
       MBR2H100SFT3G, NRVB2H100SFT3G http://onsemi.com 3 TYPICAL CHARACTERISTICS Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Maximum Forward Voltage VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V) VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V) 0.8 0.6 0.4 0 0.2 0.1 1 10 100 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.1 1 10 100 Figure 3. Typical Reverse Current Figure 4. Maximum Reverse Current VR, REVERSE VOLTAGE (V) VR, REVERSE VOLTAGE (V) 40 70 10090 80 60 50 30 20 10 0 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 40 70 10090 80 60 50 30 20 10 0 I F , FORWARD CURRENT (A) I F , FORWARD CURRENT (A) I R , REVERSE CURRENT (mA) I R , REVERSE CURRENT (mA) 1.2 1.4 1.0 150°C 125°C 25°C 150°C 125°C 25°C Figure 5. Current Derating TL, LEAD TEMPERATURE (°C) 155 170160 165 175 120 125 130 135 140 145 150 0 0.5 1.0 1.5 2.0 I F(AV) , AVERAGE FORWARD CURRENT (A) dc Square Wave RJL = 23 °C/W IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (A) 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0.2 0.4 0.6 0.8 1 P FO , AVERAGE POWER DISSIPATION (W) TJ = 175 °C dc Square Wave Figure 6. Forward Power Dissipation 0.2 0 150°C 125°C 25°C 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 150°C 125°C 25°C 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 2.5 3.0 3.5 4.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR2X030A045 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 45V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 |
| MBR2X030A100 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:840mV @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 |
| MBR2X050A200 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:920mV @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 200V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 |
| MBR2X060A045 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 45V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 |
| MBR2X080A045 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 160A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:160A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 80A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 45V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 |
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