参数资料
型号: MBR3035S-E3/4W
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 整流器
英文描述: 30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 2/4页
文件大小: 381K
代理商: MBR3035S-E3/4W
www.vishay.com
2
Document Number 88952
20-Jan-06
Vishay General Semiconductor
M3035S & M3045S
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
M3035S
M3045S
UNIT
Typical thermal resistance
RθJC
2.0
°C/W
ORDERING INFORMATION
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PREFERRED PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
MBR3045-E3/4W
1.878
4W
50/Tube
Tube
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
35
30
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
Case Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(
A)
1
10
100
300
250
200
150
100
50
0
Number of Cycles at 60 Hz
P
eak
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
TJ = TJ max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
100
10
1
0.1
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
TJ = 150 °C
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
1000
100
10
1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.1
0.01
0.001
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
TJ = 150 °C
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
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