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参数资料
| 型号： | MBR3100 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 58K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 3A 100V DO-201AD |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Jun/2009 |
| 标准包装： | 500 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 790mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 600µA @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AA，DO-27，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 散装 |
MBR3100
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction?to?Ambient (see Note 3, Mounting Method 3)
RJA
28
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(iF
= 3.0 Amps, T
L
= 25
°C)
(iF
= 3.0 Amps, T
L
= 100
°C)
vF
0.79
0.69
V
Maximum Instantaneous Reverse Current @ Rated dc Voltage (Note 2)
TL
= 25
°C
TL
= 100
°C
iR
0.6
20
mA
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%.
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
0 2.01.0 3.0 4.0 5.0
0.5
1
1.5
2
2.5
P , AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
F (AV)
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
20 10040 8060
4
2
0
dc
120 140 160 180
I , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
F (AV)
VR
REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.0001
02010 30 40
0.001
0.002
0.005
0.01
0.05
0.02
0.1
0.5
0.2
1
vF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
0.1 0.3 0.4 0.50.2
0.6 0.8 0.9
5
0.2
0.1
3
2
1
0.7
0.3
0.05
0.5
I , REVERSE CURRENT (mA)
R
i , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
F
25°C
100°C
TJ= 150°C
50
30
20
10
1 1.2 1.31.1
50 60 80 90 10070
0.0002
0.0005
25°C
100°C
TJ
= 150
°C
125°C
1
3
5
6
7
8
3
3.5
4
dc
*The curves shown are typical for the highest voltage device in the
voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selections
can be estimated from these curves if VR
is sufficient below rated V
R.
SQUARE
WAVE
SQUARE
WAVE
Figure 1. Typical Forward Voltage
Figure 2. Typical Reverse Current*
Figure 3. Current Derating
(Mounting Method #3 per Note 3)
Figure 4. Power Dissipation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR340RLG | DIODE SCHOTTKY 3A 40V DO-201AD |
| MBR360RLG | DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD |
| MBR40250G | DIODE SCHOTTKY 40A 250V TO-220AC |
| MBR5H100MFST1G | DIODE SCHOTTKY 100V 5A SO-8FL |
| MBR735 | DIODE SCHOTTKY 7.5A 35V TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR3100_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Axial Lead Rectifier |
| MBR3100G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 3A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR3100G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier |
| MBR3100RL | 功能描述:肖特基二极管与整流器 3A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR3100RLG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 3A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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