参数资料
型号: MBR340RLG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 59K
描述: DIODE SCHOTTKY 3A 40V DO-201AD
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 40V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 600mV @ 3A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 600µA @ 40V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AA,DO-27,轴向
供应商设备封装: 轴向
包装: 标准包装
其它名称: MBR340RLGOSDKR
MBR340
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 25
°C unless otherwise noted) (Note 3)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 4)
(iF
= 1.0 Amp)
(iF
= 3.0 Amp)
(iF
= 9.4 Amp)
vF
0.500
0.600
0.850
V
Maximum Instantaneous Reverse Current @ Rated dc Voltage (Note 4)
TL
= 25
°C
TL
= 100
°C
iR
0.60
20
mA
3. Lead Temperature reference is cathode lead 1/32in from case.
4. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%.
TA, AMBIENT TEMPERATURE (C°)
20 10040 8060
4.0
2.0
8.0
6.0
0
10
dc
SQUARE
WAVE
120 140 160 180 200
I , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
F (AV)
VR
REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.001
02010 30 40
40
20
10
100
0.002
0.004
0.01
0.04
0.02
0.1
0.4
0.2
4.0
2.0
1.0
25°C
75°C
100°C
10
10
100
1000
vF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
0.1 0.3 0.4 0.50.2
5.0
0.01
0.03
0.02
0.07
0.2
0.1
20
10
3.0
2.0
1.0
0.6 0.8 0.90.7
0.3
0.05
0.5
0.7
150°C
I , REVERSE CURRENT (mA)
R
7.0
i , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
F
25°C
100°C
TJ= 150°C
*The curves shown are typical for the highest voltage device in the
voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selec-
is sufficiently
below rated VR.
tions can be estimated from these same curves if VR
Figure 1. Typical Forward Voltage
Figure 2. Typical Reverse Current*
Figure 3. Current Derating
(Mounting Method #3 per Note 5)
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