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参数资料
| 型号： | MBR6H04-P |
| 厂商： | MICROPAC INDUSTRIES INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 4 A, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-257AA |
| 封装： | HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 2109K |
| 代理商： | MBR6H04-P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR735 | 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBR760-G | 7.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBR760 | 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR8100L | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR8200F | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR7030WT | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 70A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MBR7030WT_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Power Rectifier |
| MBR7030WTG | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 70A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MBR7100 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.0 Amp 100 Volt Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR7150 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.0 Amp 150 Volt Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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