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参数资料
| 型号： | MBRB10100-E3/4W |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | MBRB10100-E3/4W |
New Product
MBR(F,B)1090 & MBR(F,B)10100
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
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Document Number: 89034
Revision: 24-Jun-09
2
Notes
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
(2) Pulse test: Pulse width
≤ 40 ms
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
VALUE
UNIT
Maximum instantaneous forward voltage (1)
IF = 10 A
IF = 20 A
TC = 25 °C
TC = 125 °C
VF
0.80
0.65
0.75
V
Maximum reverse current at working peak
reverse voltage (2)
TJ = 25 °C
TJ = 100 °C
IR
100
6.0
A
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
MBR
MBRF
MBRB
UNIT
Typical thermal resistance
RθJA
RθJC
60
2.0
-
3.5
60
2.0
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
TO-220AC
MBR10100-E3/4W
1.845
4W
50/tube
Tube
ITO-220AC
MBRF10100-E3/4W
1.661
4W
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB10100-E3/4W
1.384
4W
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB10100-E3/8W
1.384
8W
800/reel
Tape and reel
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
2
4
6
10
0
50
100
150
8
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Case Temperature (°C)
Resistive or Inductive Load
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
40
60
100
80
140
120
160
1
100
10
T
J = TJ max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MART65KP75AE3 | 65000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MSPRT65KP75AE3 | 65000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MVRT65KP48AE3 | 65000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MXRT65KP54CA | 65000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MA4E2099-1284W | SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB10100-E38W | 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Trench MOS Schottky technology |
| MBRB10100TR | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 |
| MBRB10150CTTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:930mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 150V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 |
| MBRB10200CTTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:980mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 200V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1 |
| MBRB1030CT | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:10 Amp Schottky Barrier Rectifier 30 to 60 Volts |
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