收藏本站
参数资料
型号： MBRB10100CT-E3/8W
厂商： Vishay General Semiconductor
文件页数： 1/5页
文件大小： 129K
描述： DIODE SCHOTT 10A 100V TO263AB
标准包装： 800
系列： TMBS®
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 850mV @ 5A
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 100µA @ 100V
电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： 5A
电压 - (Vr)（最大）： 100V
二极管类型： 肖特基
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
二极管配置： 1 对共阴极
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装： TO-263AB
包装： 带卷 (TR)
MBR1090CT, MBR10100CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89125
Revision: 26-Apr-10
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
New Product
Dual Common-Cathode High Voltage Schottky Rectifier
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
Lower power losses, high efficiency
Low forward voltage drop
High forward surge capability
High frequency operation
Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,
per JESD 22-B106
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency rectifier of switching mode
power supplies, freewheeling diodes, dc-to-dc
converters or polarity protection application
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
As marked
Mounting Torque:
10 in-lbs maximum
PRIMARY CHARACTERISTICS
IF(AV)
2 x 5.0 A
VRRM
90 V, 100 V
IFSM
120 A
VF
0.75 V
TJ max. 150 °C
TO-220AB
CASE
PIN 2
PIN 1
PIN 3
1
2
3
TMBS?
MAXIMUM RATINGS
(TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL MBR1090CT MBR10100CT UNIT
Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM
90 100 V
Working peak reverse voltage VRWM
90 100 V
Maximum DC blocking voltage VDC
90 100 V
Maximum average forward rectified current at TC
= 105 °C
total device
per diode
IF(AV)
10
5.0
A
Peak forward surge current 8.3 ms
single half sine-wave superimposed
on rated load per diode
IFSM
120 A
Non-repetitive avalanche energy
at TJ
= 25 °C, L = 60 mH per diode
EAS
60 mJ
Peak repetitive reverse current at tp
= 2 μs, 1 kHz,
TJ
= 38 °C ± 2 °C per diode
IRRM
0.5 A
Voltage rate of change (rated VR) dV/dt 10 000 V/μs
Operating junction and storage temperature range TJ, TSTG
- 65 to + 150 °C
相关PDF资料
PDF描述
R1D12-3.315/P CONV DC/DC 1W 3.3VIN +/-15VOUT
R1D12-3.315/H CONV DC/DC 1W 3.3VIN +/-15VOUT
NR5040T330M INDUCTOR 33UH 1.2A 20% SMD
ISL6612BECBZ-T IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
GBC10DCST CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
相关代理商/技术参数
参数描述
MBRB10100CT-TP 功能描述:肖特基二极管与整流器 100V, 10A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRB10100CTTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1
MBRB10100-E3/45 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MBRB10100 Series 45 V 10 A Through Hole Schottky Rectifier - TO-220AC
MBRB10100-E3/4W 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRB10100-E3/8W 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*