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参数资料
| 型号： | MBRB10100CT-E3/8W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 129K |
| 描述： | DIODE SCHOTT 10A 100V TO263AB |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 850mV @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
MBR1090CT, MBR10100CT
Vishay General Semiconductor
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Document Number: 89125
Revision: 26-Apr-10
2
Notes
(1)
Pulse test: 300
μs pulse width, 1 % duty cycle
(2)
Pulse test: Pulse width ≤
40 ms
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL MBR1090CT MBR10100CT UNIT
Maximum instantaneous forward voltage per diode (1)
IF
= 5.0 A
IF
= 5.0 A
TC
= 125 °C
TC
= 25 °C
VF
0.75
0.85
V
Maximum reverse current per diode at working peak
reverse voltage (2)
TJ
= 25 °C
TJ
= 100 °C
IR
100
6.0
μA
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL MBR1090CT MBR10100CT UNIT
Typical thermal resistance per diode RθJC
4.4 °C/W
ORDERING INFORMATION
(Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB MBR10100CT-E3/4W 1.87 4W 50/tube Tube
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
2
4
6
10
0
50
100
150
8
Resistive or Inductive Load
A
v
erage For
w
ard C
u
rrent (A)
Case Temperature (°C)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
0
20
60
40
100
80
120
1
100
10
TJ
= T
J
Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Peak For
w
ard S
u
rge C
u
rrent (A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1D12-3.315/P | CONV DC/DC 1W 3.3VIN +/-15VOUT |
| R1D12-3.315/H | CONV DC/DC 1W 3.3VIN +/-15VOUT |
| NR5040T330M | INDUCTOR 33UH 1.2A 20% SMD |
| ISL6612BECBZ-T | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC |
| GBC10DCST | CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB10100CT-TP | 功能描述:肖特基二极管与整流器 100V, 10A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB10100CTTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 |
| MBRB10100-E3/45 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MBRB10100 Series 45 V 10 A Through Hole Schottky Rectifier - TO-220AC |
| MBRB10100-E3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB10100-E3/8W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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