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参数资料
| 型号： | MBRB1035/81 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | MBRB1035/81 |
MBR10xx, MBRF10xx & MBRB10xx Series
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88669
www.vishay.com
1-Jul-02
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Fig. 1 - Forward Current
Derating Curve
Fig. 3 - Typical Instantaneous
Forward Characteristics
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak
Forward Surge Current
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics
Fig. 6 - Typical Transient Thermal
Impedance
Case Temperature (
°C)
Average
Forward
Current
(A)
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneous
Forward
Current
(A)
Instantaneous
Reverse
Current
(mA)
Reverse Voltage (V)
Junction
Capacitance
(pF)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
t, Pulse Duration (sec.)
Transient
Thermal
Impedance
(
°C/W)
Number of Cycles at 60 Hz
Peak
Forward
Surge
Current
(A)
Resistive or Inductive Load
TJ = TJ max.
8.3ms single half sine-wave
(JEDEC method)
Pulse Width = 300
s
1% Duty Cycle
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 75°C
MBR1635 - MBR1645
MBR1650 - MBR1660
MBR1635 - MBR1645
MBR1650 - MBR1660
MBR1635 - MBR1645
MBR1650 - MBR1660
MBR1635 - MBR1645
MBR1650 - MBR1660
TJ = 25
°C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50mVp-p
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRF750/45 | 7.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBRB3035CT | 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MURS360 | 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| MMBZ4699/E8 | 12 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5228B/E8 | 3.9 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB1035CT | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:10 Amp Schottky Barrier Rectifier 30 to 45 Volts |
| MBRB1035-E3/31 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 35 Volt 10A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB1035-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 35 Volt 10A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB1035-E3/81 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 35 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB1035HE3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 35 Volt 10A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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