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参数资料
| 型号： | MURS360 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| 封装： | PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | MURS360 |
MURS340 & MURS360
Document Number 88816
04-Aug-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
1
DO-214AB (SMC)
New Product
Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier
Major Ratings and Characteristics
IF(AV)
3.0 A
VRRM
400 V, 600 V
IFSM
125 A
trr
50 ns
VF
1.05 V
Tj max.
175 °C
Features
Glass passivated chip junction
Ideal for automated placement
Ultrafast reverse recovery time
Low switching losses, high efficiency
High forward surge capability
Meets MSL level 1, per J-STD-020C
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Typical Applications
For use in high frequency rectification and freewheel-
ing application in switching mode converters and
inverters for consumer, computer, automotive and
Telecommunication
Mechanical Data
Case: DO-214AB (SMC)
Epoxy meets UL 94V-0 Flammability rating
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high
reliability grade (AEC Q101 qualified)
Polarity: Color band denotes cathode end
Maximum Ratings
TA = 25 °C unless otherwise specified
Parameter
Symbol
MURS340
MURS360
Unit
Device Marking Codes
MG
MJ
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
400
600
V
Working peak reverse voltage
VRWM
400
600
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
400
600
V
Maximum average forward rectified current at:
(See figure 1)
TL = 130 °C
TL = 115 °C
IF(AV)
3.0
4.0
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
IFSM
125
A
Operating junction and storage temperature range
TJ, TSTG
- 65 to + 175
°C
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PDF描述 |
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