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参数资料
| 型号： | MURS360 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| 封装： | PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | MURS360 |
MURS340 & MURS360
Document Number 88816
04-Aug-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package outline dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
Instantaneous Forward Voltage (V)
0.1
10
1
100
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
Instantaneous
Forward
Current
(A)
TJ = 125 °C
TJ = 150 °C
TJ = 100 °C
TJ =25 °C
020
60
40
100
80
Instantaneous
Reverse
Current
(
A)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
0.01
0.1
10
1
100
1000
TJ =25 °C
TJ = 150 °C
TJ = 100 °C
TJ = 125 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Reverse Switching Characteristics
Reverse Voltage (V)
Junction
Capacitance
(pF)
0.1
1
10
1
10
100
1000
Stored
Charge
/
Reverse
Recovery
T
ime
(nC/ns)
Junction Temperature ( °C)
25
50
0
20
40
60
80
75
100
125
100
120
Trr
Qrr
1A, 50A/
s, 30V
0.260 (6.60)
0.280 (7.11)
0.006 (0.152)
0.012 (0.305)
0.030 (0.76)
0.060 (1.52)
0.008 (0.2)
0.305 (7.75)
0.320 (8.13)
0.220 (5.59)
0.246 (6.22)
0.079 (2.06)
0.103 (2.62)
0.114 (2.90)
0.126 (3.20)
Cathode Band
DO-214AB (SMC)
0.185 MAX.
(4.69 MAX.)
0.320 REF
0.126 MIN.
(3.20 MIN.)
0.060 MIN.
(1.52 MIN.)
Mounting Pad Layout
0 (0)
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