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参数资料
| 型号： | MBRB1090-E3/4W |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | MBRB1090-E3/4W |
New Product
MBR(F,B)1090 & MBR(F,B)10100
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89034
Revision: 24-Jun-09
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
Figure 5. Typical Junction Capacitance
0
0.2
0.1
0.5
1.0
0.4
0.3
1
100
10
0.01
0.1
0.6
0.7
0.8
0.9
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
20
10
100
40
60
80
1
10
0.01
0.1
100
0.001
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50
70
90
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
1
10
100
1000
10 000
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance
0.01
10
1
100
10
100
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
Junction to Case
MBR(B)
0.1
10
1
100
1
10
0.001
0.1
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
Junction to Case
MBRF
0.01
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PDF描述 |
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参数描述 |
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