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参数资料
| 型号： | MBRB20100CT-E3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | MBRB20100CT-E3/45 |
Document Number: 88672
Revision: 03-Apr-07
www.vishay.com
3
MBR(F,B)2090CT & MBR(F,B)20100CT
Vishay General Semiconductor
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
0
0.2
0.1
0.5
1.0
0.4
0.3
5.0
50
20
10
0.5
1.0
3.0
0.6
0.7
0.8
0.9
Tj = 100 °C
Tj = 150 °C
Tj = 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
1.0
10
0.01
0.1
20
0
100
40
60
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
Tj = 100 °C
Tj = 150 °C
Tj = 125 °C
Tj = 25 °C
Figure 5. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0.01
10
1
100
10
100
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRF1090-E3/45 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
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| MQ1EZ150D10E3TR | 150 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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