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参数资料
| 型号： | MBRB25H35CT-E3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 143K |
| 描述： | DIODE ARR SCHOTTKY 35V 15A D2PAK |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 640mV @ 15A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 35V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 15A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 35V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
MBR(F,B)25H35CT thru MBR(F,B)25H60CT
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 27-Jun-12
2
Document Number: 88789
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
Notes
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
(2)
Pulse test: Pulse width ?
40 ms
Note
(1)
AEC-Q101 qualified
Peak non-repetitive reverse energy
(8/20 μs waveform)
ERSM
25 20 mJ
Electrostatic discharge capacitor voltage
Human body model: C = 100 pF, R = 1.5 k?
VC
25 kV
Voltage rate of change (rated VR) dV/dt 10 000 V/μs
Operating junction and storage temperature range TJ, TSTG
- 65 to + 175 °C
Isolation voltage (ITO-220AB only)
from terminal to heatsink t = 1 min
VAC
1500 V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS
MBR25H35CT
MBR25H45CT
MBR25H50CT
MBR25H60CT
UNIT
TYP. MAX. TYP. MAX.
Maximum instantaneous forward
voltage per diode
VF
(1)
IF
= 15 A
TJ
= 25 °C - 0.64 - 0.70
V
TJ
= 125 °C 0.50 0.54 0.56 0.60
IF
= 30 A
TJ
= 25 °C - 0.74 - 0.85
TJ
= 125 °C 0.63 0.67 0.68 0.72
Maximum reverse current per diode IR
(2)
Rated VR
TJ
= 25 °C - 100 - 100 μA
TJ
= 125 °C 6.0 20 4.0 20 mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL MBR MBRF MBRB UNIT
Thermal resistance, junction to case per diode R?JC
1.5 4.5 1.5 °C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB MBR25H45CT-E3/45 1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB MBRF25H45CT-E3/45 1.99 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB25H45CT-E3/45 1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB25H45CT-E3/81 1.35 81 800/reel Tape and reel
TO-220AB MBR25H45CTHE3/45 (1)
1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB MBRF25H45CTHE3/45 (1)
1.99 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB25H45CTHE3/45 (1)
1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB25H45CTHE3/81 (1)
1.35 81 800/reel Tape and reel
MAXIMUM RATINGS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL MBR25H35CT MBR25H45CT MBR25H50CT MBR25H60CT UNIT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SRN3015-470M | INDUCTOR POWER SHIELD 47UH SMD |
| 396-050-522-204 | CARD EDGE 50POS DL .125X.250 BLK |
| GBM15DCSI | CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD |
| A7VVB-3710G | CABLE D-SUB-AMU37B/AE37G/AMU37B |
| HCM08DSUN | CONN EDGECARD 16POS .156 DIP SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB25H35CTHE3/81 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 35 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB25H45CT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode Schottky Rectifier |
| MBRB25H45CT/31 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 45 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB25H45CT/81 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 45 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB25H45CT-E3/31 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 45 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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