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参数资料
| 型号： | MBRB25H35CT-E3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 143K |
| 描述： | DIODE ARR SCHOTTKY 35V 15A D2PAK |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 640mV @ 15A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 35V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 15A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 35V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
MBR(F,B)25H35CT thru MBR(F,B)25H60CT
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 27-Jun-12
3
Document Number: 88789
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25
?C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Forward Derating Curve (Total)
Fig. 2 - Maximum Non-Re
petitive Peak Forward
Surge Current Per Diode
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0
10
20
30
40
25
0
50
75 100 125 150 175
MBRF
MBR, MBRB
Average Forwar
d Current (A)
Case Temperature (°C)
1 10010
0
25
50
75
100
125
150
Number of Cycles
at 60 Hz
Peak Forwar
d
S
urge Current (A)
TJ
= T
J
Max.
s
Single Half Sine-Wave
8.3 m
0.01
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
1
10
100
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Instantaneous
Forward Voltage (V)
In
s
tantaneou
s
Forward Current (A)
MBR25H35CT, MBR25H45CT
MBR25H50CT, MBR25H60CT
04020 10060
80
0.0001
0.001
0.1
0.01
1
10
100
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
In
s
tantaneou
s
Rever
s
e Leakage
Current (mA)
MBR25H35CT, MBR25H45CT
MBR25H50CT, MBR25H60CT
0.1 1
100
10
1000
100
10 000
Reverse Voltage (V)
Junction Cap
acitance (p
F)
MBR25H35CT, MBR25H45CT
MBR25H50CT, MBR25H60CT
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 mV
p-p
0.01 0.1
0.1
1
1
10
10
t - Pulse Duration (s)
Tran
s
ient Thermal Impedance (°C/W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SRN3015-470M | INDUCTOR POWER SHIELD 47UH SMD |
| 396-050-522-204 | CARD EDGE 50POS DL .125X.250 BLK |
| GBM15DCSI | CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD |
| A7VVB-3710G | CABLE D-SUB-AMU37B/AE37G/AMU37B |
| HCM08DSUN | CONN EDGECARD 16POS .156 DIP SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB25H35CTHE3/81 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 35 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB25H45CT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode Schottky Rectifier |
| MBRB25H45CT/31 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 45 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB25H45CT/81 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 45 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB25H45CT-E3/31 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 45 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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