- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录240916 > MBRB30H90CTHE3/45 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 15 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MBRB30H90CTHE3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 15 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | MBRB30H90CTHE3/45 |
New Product
MBR(F,B)30H90CT & MBR(F,B)30H100CT
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
Document Number: 88791
Revision: 19-May-08
2
Notes:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
(2) Pulse test: Pulse width
≤ 40 ms
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
VALUE
UNIT
Maximum instantaneous forward
voltage per diode (1)
IF = 15 A
IF = 30 A
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
VF
0.82
0.67
0.93
0.80
V
Maximum reverse current at rated VR
per diode (2)
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
IR
5.0
6.0
A
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
MBR
MBRF
MBRB
UNIT
Typical thermal resistance per diode
RθJC
1.9
4.6
1.9
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
TO-220AB
MBR30H100CT-E3/45
1.85
45
50/tube
Tube
ITO-220AB
MBRF30H100CT-E3/45
1.99
45
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB30H100CT-E3/45
1.35
45
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB30H100CT-E3/81
1.35
81
800/reel
Tape and reel
TO-220AB
MBR30H100CTHE3/45 (1)
1.85
45
50/tube
Tube
ITO-220AB
MBRF30H100CTHE3/45 (1)
1.99
45
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB30H100CTHE3/45 (1)
1.35
45
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB30H100CTHE3/81 (1)
1.35
81
800/reel
Tape and reel
Figure 1. Forward Derating Curve Per Diode
0
5
10
15
20
25
30
35
75
50
25
0
100
125
150
175
MBRF30H90CT - MBRF30H100CT
MBR30H90CT - MBR30H100CT
MBRB30H90CT - MBRB30H100CT
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Case Temperature (°C)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
0
50
100
150
200
250
300
1
10
100
T
J = TJ Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
P
eak
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRF30H90CTHE3/45 | 15 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MM3Z10VBW | 10 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MM3Z13VCW | 13 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MM3Z18VBW | 18 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MM3Z22VBW | 22 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB40100CT | 制造商:SENSITRON 制造商全称:Sensitron 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER |
| MBRB40100CTTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:880mV @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 |
| MBRB40150CTTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 150V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 |
| MBRB40200CTTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 200V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 |
| MBRB40250T | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:250 V, 40 A SWITCHMODE Schottky Power Rectifier |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。