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参数资料
| 型号： | MBRB40250TG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 114K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40A 250V D2PAK-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 40A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 970mV @ 40A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 250µA @ 250V |
| 电容@ Vr, F： | 500pF @ 5V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MBRB40250TG-ND MBRB40250TGOS |
     MBR40250, MBR40250T, MBRF40250T, MBRB40250T http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V V RRM RWM VR 250 V Average Rectified Forward Current (Rated VR) TC = 82 °C MBR40250, MBR40250T, MBRB40250T (Rated VR) TC = 46 °C MBRF40250T IF(AV) 40 A Peak Repetitive Forward Current (Rated VR, Square Wave, 20 kHz) TC = 82 °C MBR40250, MBR40250T, MBRB40250T (Rated VR, Square Wave, 20 kHz) TC = 46 °C MBRF40250T IFRM 80 A Nonrepetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz) IFSM 150 A Storage Temperature Tstg 65 to +175 °C Operating Junction Temperature TJ 65 to +150 °C Voltage Rate of Change (Rated VR) dv/dt 10,000 V/s Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. THERMAL CHARACTERISTICS Rating Symbol Value Unit Maximum Thermal Resistance Junction?to?Case MBR40250(T) and MBRB40250T MBRF40250 Junction?to?Ambient MBR40250(T) MBRF40250 MBRB40250T RJC RJA 2.0 3.0 60 50 50 °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating Symbol Value Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) IF = 20 A, T C = 25 °C IF = 20 A, T C = 125 °C IF = 40 A, T C = 25 °C IF = 40 A, T C = 125 °C VF 0.86 0.71 0.97 0.86 V Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1) Rated DC Voltage, TC = 25 °C Rated DC Voltage, TC = 125 °C IR 0.25 30 mA Maximum Reverse Recovery Time IF = 1.0 A, di/dt = 50 A/ s, TC = 25 °C trr 35 ns DYNAMIC CHARACTERISTICS Capacitance VR = ?5.0 V, TC = 25 °C, Frequency = 1.0 MHz CT 500 pF 1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRB8H100T4G | DIODE SCHOTTKY 8A 100V D2PAK |
| MBRD330RLG | DIODE SCHOTTKY 3A 30V DPAK |
| MBRD5H100T4G | DIODE SCHOTTKY 5A 100V DPAK |
| MBRD835LT4G | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK |
| MBRM110LT1G | DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB40250TT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:D2PAK 40A 250V SCHOTTKY - Tape and Reel |
| MBRB4030 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB4030G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB4030T4 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB4030T4G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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