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参数资料
| 型号： | MBRB41H100CT-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 124K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 100V 20A H I2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 20A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 20A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK（TO-262） |
| 包装： | 管件 |
MBR41H100CT, NRVBB41H100CT Series
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
(Per Diode Leg)
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
100
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR) TC
= 150
°C
IF(AV)
20
A
Peak Repetitive Forward Current
(Rated VR, Square Wave, 20 kHz) TC
= 145
°C
IFRM
40
A
Nonrepetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz)
IFSM
350
A
Operating Junction Temperature (Note 1)
TJ
+175
°C
Storage Temperature
Tstg
65 to +175
°C
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dv/dt
10,000
V/s
Controlled Avalanche Energy (see test conditions in Figures 10 and 11)
WAVAL
400
mJ
ESD Ratings:
Machine Model = C
Human Body Model = 3B
> 400
> 8000
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS (Per Diode Leg)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Maximum Thermal Resistance
Junction?to?Case
Junction?to?Ambient
RJC
RJA
2.0
70
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Per Diode Leg)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(IF
= 20 A, T
C
= 25
°C)
(IF
= 20 A, T
C
= 125
°C)
(IF
= 40 A, T
C
= 25
°C)
(IF
= 40 A, T
C
= 125
°C)
vF
0.80
0.67
0.90
0.76
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated DC Voltage, TC
= 125
°C)
(Rated DC Voltage, TC
= 25
°C)
iR
10
0.01
mA
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ
< 1/R
JA.
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%.
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PDF描述 |
|---|---|
| 346-062-526-202 | CARDEDGE 62POS DUAL .125 GREEN |
| IXBD4410SI | IC LOW SIDE DRIVER 16SOIC |
| LXC100-2800SW | POWER SUPPLY LED 100W 2800MA |
| R0.25D12-1515/H-R | CONV DC/DC 0.25W 15VIN +/-15VOUT |
| 346-062-526-201 | CARDEDGE 62POS DUAL .125 GREEN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB41H100CTT4G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 D2PAK 40A 100V H-SER SC RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB60100CTTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 |
| MBRB60H100CTT4G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 60A 100VH-Series Schottky Rectifier RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB60H100CTT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER 30A 100V D2PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER, 30A, 100V D2PAK |
| MBRB735 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.5 Amp 35 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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