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参数资料
| 型号： | MBRD330TRPBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, D-PAK-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | MBRD330TRPBF |
Document Number: 94313
For technical questions, contact: diodestech@vishay,com
www.vishay.com
Revision: 08-Jul-09
3
MBRD3..PbF Series
Schottky Rectifier, 3.0 A Vishay High Power Products
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics
0.1
100
10
I F
-
Instantaneous
Forward
Current
(A)
VFM - Forward Voltage Drop (V)
0.2
0.4
0.8
1.2
0.6
1.0
0
1
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
0.001
1
10
100
0.1
0.01
I R
-Reverse
Current
(mA)
VR - Reverse Voltage (V)
10
515
20
40
25
30
35
0
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 100 °C
T
J = 75 °C
T
J = 50 °C
T
J = 25 °C
10
100
1000
C
T
-Junction
Capacitance
(pF)
VR - Reverse Voltage (V)
10
515
20
25
35
40
45
30
0
T
J = 25 °C
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 - Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
-
Thermal
Impedance
(°C/W)
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
Single pulse
(thermal resistance)
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1/t2
2. Peak T
J = PDM x ZthJC + TC
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