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参数资料
| 型号： | MBRD630CTP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 422K |
| 代理商： | MBRD630CTP |
MBRD620CT
THRU
MBRD660CT
6 Amp Schottky
Barrier Rectifier
20 to 60 Volts
Features
Extremely Fast Switching
Extremely Low Forward Drop.
Maximum Ratings
Operating Temperature:- 65
℃ to +150℃
Storage Temperature: -65
℃ to +175℃
Maximum Thermal Resistance (Per Leg):
6
℃/W Junction To Case
80
℃/W Junction To Ambient
MCC
Part Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
Maximu
m RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
MBRD620CT
20V
14V
20V
MBRD630CT
30V
21V
30V
MBRD640CT
40V
28V
40V
MBRD650CT
50V
35V
50V
MBRD660CT
60V
42V
60V
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current (TC = 100
℃)
IF(AV)
3.0A
6.0A
Per Diode
Per Device
Peak Forward Surge
Current
IFSM
75A
8.3ms, half sine
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage*
VF
.70V
.65V
.90V
.85V
IFM = 3.0A; TC = 25
℃
IFM = 3.0A; TC =1 25
℃
IFM =6.0A; TC = 25
℃
IFM = 6.0A; TC =1 25
℃
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
.1mA
15mA
TA = 25
℃
TA = 125
℃
Peak Repetitive
Forward Current,
TC=130
℃, per diode
IFRM
6A
Rated VR, Square
Wave, 20 KHz
Peak Repetitive
Reverse Surge
Current
IRRM
1A
2
μs, 1 KHz
*Pulse test: Pulse width 300
sec, Duty cycle 2%
DPACK
SUGGESTED SOLDER PAD LAYOUT
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
0.235
0.245
5.97
6.22
B
0.205
0.215
5.21
5.46
C
0.086
0.094
2.19
2.38
D
0.025
0.035
0.64
0.89
E
0.035
0.045
0.99
1.14
F
0.250
0.265
6.35
6.73
G
0.090
2.28
J
0.018
0.023
0.48
0.58
K
0.020
---
0.51
---
S
0.370
0.410
9.40
10.42
V
0.035
0.050
0.88
1.27
2 , 4
1
3
A
S
V
B
D
G
C
E
J
K
1
2
3
4
F
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: 2
2006/05/06
TM
Micro Commercial Components
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
www.mccsemi.com
1 of 4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRF20H200CT-E3 | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SB20H200CT-1 | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| MBRP20030CTLG | 100 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MCL103B-TR3 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MCL103C-TR | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MBRD640CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 6A 40V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRD640CTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 REC 6A 40V SHTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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