型号: | MBRD660CTPBF |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 整流器 |
英文描述: | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
封装: | SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3 |
文件页数: | 4/6页 |
文件大小: | 65K |
代理商: | MBRD660CTPBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MASMBGP6KE120E3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
MASMBGP6KE180CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
MASMBGP6KE30E3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
MASMBGP6KE36C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
MASMBGP6KE68E3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MBRD660CTRL | 功能描述:肖特基二极管与整流器 6A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
MBRD660CTRLG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 6A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
MBRD660CTT4 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 6A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
MBRD660CTT4G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 6A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
MBRD660CTTR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 6.0 Amp 60 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |